Đề thi thử — Đại học Bách khoa Hà Nội

1. 問題 1

   BJT làm việc ở chế độ cắt dòng khi tiếp xúc base-emitter phân cực thuận. Phát biểu này đúng hay sai?

   ĐúngSai
   正解を見る

   正解：不正解

2. 問題 2

   Câu 6 [HUFT]: Ui za cái lưng tôi buồn ngủ lắm rồi đấy các ông ạ nhưng thôi nốt yêu các ông lắm đấy. Mà không biết đường giới thiệu các gen tiếp theo thì buôn lắm đấy. Không linh tinh thuyền nữa nốt

   A

   $F = \overline{A} \overline{C} + B$

   B

   $F = \overline{A} \overline{C} + \overline{B}$

   C

   $F = A \overline{C} + B$

   D

   $F = A \overline{C} + \overline{B}$

   正解を見る

   正解：B

3. 問題 3

   Một transistor tiếp xúc lưỡng cực có cấu trúc gồm 3 tiếp xúc PN. Phát biểu này đúng hay sai?

   ĐúngSai
   正解を見る

   正解：不正解

4. 問題 4

   BJT có điểm làm việc tĩnh (một chiều) phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh nhất khi được phân cực theo cách nào trong số các cách sau đây?

   A

   Phân cực cực base

   B

   Phân cực cực emitter

   C

   Phân cực bằng phân áp

   D

   Phân cực bằng hồi tiếp collector

   正解を見る

   正解：A

5. 問題 5

   Điện thế nhiệt $U_T$ tại nhiệt độ $55^\circ C$ có giá trị xấp xỉ

   A

   28.3mV

   B

   25mV

   C

   26.1 mV

   D

   29.9mV

   正解を見る

   正解：C

20問すべてに解答すると、採点されて詳しい解説を見られます。