Thiết kế VLSI - Bài 3 (HUST) Thầy Nguyễn Vũ Thắng
Génération de l'aperçu...
Bài giảng về công nghệ chế tạo CMOS, trình bày chi tiết các bước trong quy trình sản xuất transistor VLSI bao gồm oxy hóa, khắc, implant ion và沉 tích các lớp vật liệu. Tài liệu của thầy Nguyễn Vũ Thắng từ HUST.
Description
ng .c om Design and Implementation of VLSI Systems Lecture03 cu u du on g th an co CMOS fabrication Lecture 03: CMOS fabrication cu u du on g th an co ng .c om http://www.appliedmaterials.com/HTMAC/animated.html Fabricating one transistor UV light Mask om oxygen exposed photoresist photoresist .c Silicon dioxide Silicon substrate ng Exposed Photoresist Mask-Wafer Coating Alignment and Exposure Photoresist Ionized CF4 gas photoresist oxide Ionized oxygen gas oxide th an co Oxidation (Field oxide) oxygen Scanning ion beam G ox S D Ion Implantation Photoresist Remove cu u Oxide Etch du on g gate oxide S G Oxidation (Gate oxide) silicon nitride Dopant gas Active Regions S G D Nitride Deposition Photoresist Develop Ionized CCl4 gas Silane gas polysilicon Polysilicon Deposition Contact holes top nitride D oxide oxide Polysilicon Mask and Etch Metal contacts S G D G drain D S Contact Etch Metal Deposition and Etch cu u du on g th an co ng .c om Top view Source Gate Drain Polysilicon Source Gate Drain Polysilicon SiO2 SiO2 p+ p+ n bulk Si n+ n+ p bulk Si cu u du on g th an co ng .c om Wafer preparation cu u du on g th an co ng .c om Start with P substrate cu u du on g th an co ng .c om 1. Spin Resist Coating https://fb.com/tailieudie
Résumé IA
- Nom du document
- Thiết kế VLSI - Bài 3 (HUST) Thầy Nguyễn Vũ Thắng
- École / Cours
- Đại học Bách khoa Hà Nội · Thiết kế VLSI
- Auteur (dans le document)
- Thầy Nguyễn Vũ Thắng
- Contenu
- Tài liệu trình bày về quy trình chế tạo VLSI, cụ thể là quá trình chế tạo transistor CMOS
- Table des matières
- Lecture 03: CMOS fabrication
- Fabricating one transistor
- Wafer preparation
- Start with P substrate
- 1. Spin Resist Coating
- 2. Expose N Well Mask
- 3. Develop resist
- 4. Implant N Well
- 5. Remove Resist
- Pages
- 32 pages
- Téléversé par
- lienhejb
Foire aux questions
Ce document est-il gratuit ?
Oui. « Thiết kế VLSI - Bài 3 (HUST) Thầy Nguyễn Vũ Thắng » est gratuit — il suffit de vous connecter et de cliquer sur Télécharger pour obtenir le fichier original.
Combien de pages compte ce document ?
Le document contient 32 pages, pour le cours Thiết kế VLSI. Vous pouvez le prévisualiser en ligne avant de le télécharger.
Puis-je prévisualiser avant de télécharger ?
Oui. Vous pouvez prévisualiser ce document directement sur cette page avec le lecteur en ligne, puis décider de le télécharger ou non.
Thiết kế VLSI - Bài 3 (HUST) Thầy Nguyễn Vũ Thắng
Génération de l'aperçu...
ng .c om Design and Implementation of VLSI Systems Lecture03 cu u du on g th an co CMOS fabrication Lecture 03: CMOS fabrication cu u du on g th an co ng .c om http://www.appliedmaterials.com/HTMAC/animated.html Fabricating one transistor UV light Mask om oxygen exposed photoresist photoresist .c Silicon dioxide Silicon substrate ng Exposed Photoresist Mask-Wafer Coating Alignment and Exposure Photoresist Ionized CF4 gas photoresist oxide Ionized oxygen gas oxide th an co Oxidation (Field oxide) oxygen Scanning ion beam G ox S D Ion Implantation Photoresist Remove cu u Oxide Etch du on g gate oxide S G Oxidation (Gate oxide) silicon nitride Dopant gas Active Regions S G D Nitride Deposition Photoresist Develop Ionized CCl4 gas Silane gas polysilicon Polysilicon Deposition Contact holes top nitride D oxide oxide Polysilicon Mask and Etch Metal contacts S G D G drain D S Contact Etch Metal Deposition and Etch cu u du on g th an co ng .c om Top view Source Gate Drain Polysilicon Source Gate Drain Polysilicon SiO2 SiO2 p+ p+ n bulk Si n+ n+ p bulk Si cu u du on g th an co ng .c om Wafer preparation cu u du on g th an co ng .c om Start with P substrate cu u du on g th an co ng .c om 1. Spin Resist Coating https://fb.com/tailieudie
Lire le document entier
- Nom du document
- Thiết kế VLSI - Bài 3 (HUST) Thầy Nguyễn Vũ Thắng
- École / Cours
- Đại học Bách khoa Hà Nội · Thiết kế VLSI
- Auteur (dans le document)
- Thầy Nguyễn Vũ Thắng
- Contenu
- Tài liệu trình bày về quy trình chế tạo VLSI, cụ thể là quá trình chế tạo transistor CMOS
- Table des matières
- Lecture 03: CMOS fabrication
- Fabricating one transistor
- Wafer preparation
- Start with P substrate
- 1. Spin Resist Coating
- 2. Expose N Well Mask
- 3. Develop resist
- 4. Implant N Well
- 5. Remove Resist
- Pages
- 32 pages
- Téléversé par
- lienhejb
Commentaires (0)
Aucun commentaire pour le moment. Soyez le premier !
Thiết kế VLSI - Bài 5 (HUST) Thầy Nguyễn Vũ Thắng
Thiết kế VLSI - Bài 2 (HUST) Thầy Nguyễn Vũ Thắng
Thiết kế VLSI - Bài 6 (HUST) Thầy Nguyễn Vũ Thắng
Thiết kế VLSI - Bài 1 (HUST) Thầy Nguyễn Vũ Thắng
Thiết kế VLSI - Bài 4 (HUST) Thầy Nguyễn Vũ Thắng
K5 Bộ đề luyện thi Trạng Nguyên Tiếng Việt (NXB DHQG)
K2 Bộ đề luyện thi Trạng Nguyên Tiếng Việt (NXB DHQG)
K3 Bộ đề luyện thi Trạng Nguyên Tiếng Việt (NXB DHQG)
K4 Bộ đề luyện thi Trạng Nguyên Tiếng Việt (NXB DHQG)
K1 Bộ đề luyện thi Trạng Nguyên Tiếng Việt (NXB DHQG)
Commentaires (0)
Aucun commentaire pour le moment. Soyez le premier !