Trang 1
HÚTENDFIUTRỜ BUỔI ÔN THI GIỮA KỲ KTĐT ET2010 TRANSISTOR I. Câu hỏi dạng True/False 1. Một transistor tiếp xúc lưỡng cực có cấu trúc gồm 3 tiếp xúc PN. Phát biểu này đúng hay sai? A. True B. False 2. Tiếp xúc PN có sự tham gia của miền base và miền emitter được gọi là tiếp xúc Base-Emitter. Phát biểu này đúng hay sai? A. True B. False 3. Dòng điện emitter (IE) là tổng của dòng điện collector (Ic) và dòng điện base (IB). Phát biểu này đúng hay sai? A. True B. False 4. Hệ số khuếch đại dòng điện DC của một BJT có giá trị từ nhỏ hơn 20 đến 200. Phát biểu này đúng hay sai? A. True B. False 5. Dòng điện base (IB) của BIT rất nhỏ so với dòng điện collector (IC) và dòng điện emitter (IE). Phát biểu này đúng hay sai? A. True B. False 6. BIT làm việc ở chế độ cắt dòng khi tiếp xúc base-emitter phân cực thuận. Phát biểu này đúng hay sai? A. True B. False HÚT END FIU TRỜ 1
Trang 2
7. Đường tải tĩnh hay đường tải một chiều là một đường thăng biểu diễn sự phụ thuộc giữa điện áp và dòng điện của BJT trong vùng bão hòa. Phát biểu này đúng hay sai? A. True B False 8. Trong cùng một mạch điện, dòng điện collector (Ic) là lớn nhất khi BJT bị bão hòa. Phát biểu này đúng hay sai? A.True B. False 9. Hệ số khuếch đại có giá trị bằng điện áp đầu ra chia cho dòng điện đầu vào. Phát biểu này đúng hay sai? A. True B. False 10. Chức năng chính của BJT là tạo dao động. Phát biểu này đúng hay sai? A. True B. False 11. Phương pháp phân cực cho BJT bằng phương pháp phân cực Base có điểm làm việc tĩnh (một chiều) phụ thuộc nhiều và nhiệt độ. Phát biểu này đúng hay sai? A. True B. False II. Câu hỏi lựa chọn 1 đáp án đúng 1. Hệ số 𝜷của BJT là: A. Hệ số khuyếch đại dòng điện một chiều B. Hệ số truyền đạt dòng diện base C. Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện Emitter D. Hệ số khuyếch đại công suất HÚT END FIU TRỜ 2
Trang 3
2. Có mấy phương pháp phân cực cho BJT mà các bạn đã được học? A.2 B.3 C.4 D.1 3. Thông thường điện áp giữa cực base và emitter của BJT khi tiếp giáp này được phân cực thuận có giá trị xấp xỉ A. 0.3V B. 0.7V C. 0.3V hoặc 0.7V tùy thuộc vào vật liệu bán dẫn là Ge hay Si D. 0.3V và 0.7V 4. Để một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải... A. Cao hơn cực emitter B. Thấp hơn cực emitter C. Cao hơn cực collector D. Thấp hơn cực emitter và cao hơn cực collector 5. Để một BJT loại PNP làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải... A. Cao hơn cực emitter B. Thấp hơn cực emitter C. Thấp hơn cực collector D. Cao hơn cực emitter và thấp hơn cực collector 6. Thông tin nào sau đây thể hiện BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại? A. Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và nhỏ hơn điện áp ở cực B B. Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực V và điện áp ở cực B C. Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B D. Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và lướn hơn điện áp ở cực B HÚT END FIU TRỜ 3
Trang 4
7. Trong một BJT, hệ số α được định nghĩa là... A. Hệ số khuếch đại dòng điện B. Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter C. Hệ số khuếch đại công suất D. Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện base 8. Đối với một BJT, nếu dòng điện collector bằng 0.95 lần dòng điện emitter thi α bằng... A. 0.05 B. 20 C. 0.95 D. 1.05 9. Khi BJT hoạt động ở chế độ bão hòa, điện áp giữa cực C và cực E thường... A. Nằm trong khoảng từ 0.3 V đến điện áp của nguồn cung cấp B. Nhỏ và không quá 0.3V C. Bằng điện áp giữa cực B và cực E D. Xấp xỉ điện áp của nguồn cung cấp 10. BJT có điểm làm việc tĩnh (một chiều) phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh nhất khi được phân cực theo cách nào trong số các cách sau đây? A. Phân cực base B. Phân cực emitter C. Phân cực bằng phân áp D. Phân cực bằng hổi tiếp collector 12. Mạch khuếch đại dùng BJT mắc theo mô hình C chung có đặc điểm.. A. Hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ 1 và hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ β B. Hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ β và hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ 1 C. Hệ số khuếch đại điện áp lớn hơn 1 và hệ số khuếch đại dòng điện lớn hơn β D. Hệ số khuếch đại điện áp lớn hơn β và hệ số khuếch đại dòng điện lớn hơn 1 HÚT END FIU TRỜ 4
Trang 5
13. Khi đang hoạt động ở chế độ khuyếch đại, một BJT có 𝑰𝑬 = 𝟏𝟎𝒎𝑨 và 𝑰𝑪 = 𝟗.𝟗𝟓 𝒎𝑨. Dòng điện 𝑰𝑩 xác định được có giá trị: A. 1mA B. 19.95 mA C. 0.5 mA D. 0.05 Ma 14. Để một BJT làm việc ở chế độ khuếch đại tín hiệu biên độ nhỏ thì.. A. Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực thuận, tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực thuận B. Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực thuận, tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực ngược C. Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực ngược, tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực ngược D. Tất cả đều sai 15. Dạng mắc mạch của BJT trong hình vẽ là: A. Dạng Collector chung B. Dạng Emitter chung C. Dạng Base chung D. Các đáp án đưa ra đều sai 16. Dạng mắc mạch của BJT trong hình vẽ là: A. Dạng Collector chung B. Dạng Emitter chung C. Dạng Base chung D. Các đáp án đều sai HÚT END FIU TRỜ 5
Trang 6
17. Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực emitter luôn.. A. Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base B. Nhỏ hơn giá trị dòng điện ở cực collector C. Lớn hơn giá trị dòng điện ở collector D. Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và giá trị dòng điện ở collector 18. Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực collector luôn... A. Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base B. Bằng giá trị dòng điện ở cực emitter C. Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và nhỏ hơn giá trị dòng điện ở emitter D. Lớn hơn giá trị dòng điện ở emitter 19. Phương pháp phân cực cho BJT trong hình là... A. Phân áp B. Phân cực base (phân cực cố định) C. Phân cực emitter D. Phân cực hối tiếp collector 20. BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Silic. Số liệu cho như hình vẽ. Điện áp giữa cực C và cực E của BJT là xấp xỉ… A. 0 V B. 9 V C. 7.6 V D. 4.85 V HÚT END FIU TRỜ 6
Trang 7
21. BJT trong hình vẽ được chế tạo bằng Silic. Số liệu cho như hình vẽ. Điện áp giữa hai đầu điện trở 𝑹𝑪 là xấp xỉ... A. 0V B. 10V C. 5.3V D.4.6V 22. BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Silic. Số liệu cho như hình vẽ. Trong thực tế, dòng điện Collector bão hòa của BJT là…. A. Khoảng 9.7mA B. Đúng bằng 10mA C. Xấp xỉ bằng 0mA D. Khoảng 100mA 23. Một BJT đang làm việc ở chế độ khuếch đại và được phân cực theo kiểu hồi tiếp emitter bởi các điện trở RB, RC, và RE nối tới các cực tương ứng. Một trong những giải pháp để tăng độ ổn định của điểm làm việc tĩnh (một chiều) là: A. Giảm giá trị điện trở RE B Tăng giá trị điện trở RE C. Mắc nối tiếp với RE một tụ điện D. Mắc song song với RE một tụ điện HÚT END FIU TRỜ 7
Trang 8
24. Phương pháp phân cực cho BJT trong hình là… A. Phân áp B. Phân cực Base (phân cực cố định) C. Phân cực Emitter D.Phân cực hồi tiếp Collector 25. Phương pháp phân cực cho BJT trong hình là… A. Phân áp B. Phân cực Base (phân cực cố định) C. Phân cực Emitter D.Phân cực hồi tiếp Collector 26. Có thể dùng đặc tuyến ra của BJT mắc theo mô hình E chung (CE) để giải thích cho đặc tuyến ra của nó mắc theo mô hình nào dưới đây? A. B chung (CB) B. C chung (CC) C. C chung (CC) và B chung (CB) D. Các phương án đưa ra đều sai 27. Đối với một BJT làm việc ở chế độ khuyếch đại điều kiện cần để làm việc tĩnh (một chiều) của nó nằm giữa đường tải tĩnh một chiều là: A. Giá trị của 𝑈 một chiều đạt cực đại và 𝐼 = 𝐼𝐶(MAX) 𝐶𝐸 𝐶 2 B. Giá trị của 𝑈𝐶𝐸 một chiều bằng một nửa giá trị điện áp nguồn cung cấp và 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶(𝑀𝐴𝑋) C. Các phương án đưa ra đều sai D. Giá trị của 𝑈 một chiều bằng một nửa giá trị điện áp nguồn cung cấp và 𝐼 = 𝐼𝐶(MAX) 𝐶𝐸 𝐶 2 HÚT END FIU TRỜ 8
Trang 9
28. Hình vẽ thể hiện mô hình nào trong số các mô hình sau đây: A. Mô hình tham số 𝑟𝑏 B. Mô hình tham số 𝑟𝐸 rút gon C. Mô hình tham số 𝑟𝐸 đầy đủ D. Các phương án trên đều sai 29. BJT trong hình vẽ được làm từ silic, nếu Vcc tăng lên gấp đôi, dòng điện sẽ.. A. Giảm đi một nửa B. Tăng lên gấp đôi C. Gần như không đổi D. Ban đầu tăng lên, sau đó giảm đi 30. BJT trong hình vẽ đang làm việc ở chế độ khuyếch đại. Biết 𝒓𝑬 = 𝟓𝟎Ω ; 𝑹𝑪 = 𝟏𝒌Ω; và biên độ thành phân tín hiệu xoay chiều tại cực B là 𝑽𝑩 = 𝟏𝟎𝟎 𝒎𝑽. Tính biên độ điện áp xoay chiều tại cực C (là 𝑽𝑶𝑼𝑻 trong hình) A. 0 V B. 2 V C. 4.76 V D. 6.71 V 31. Một BJT chế tạo từ sillic được phân cực bằng mạch điện có thông số như trong hình, nếu giảm gái trị của β xuống còn 100, dòng điện collector sẽ: A. Gần như không đổi B. Tăng lên C. Giảm đi D. Không kết luận được HÚT END FIU TRỜ 9
Trang 10
32. Một BJT chế tạo từ silic được phân cực bằng mạch điện có thông số như trong hình. Nếu tăng điện áp nguồn cung cấp lên, điện áp tại cực E của BJT sẽ: A. Gần như không đối B. Giảm đi C. Tăng lên D. Ban đầu không đối, sau đó giảm dần 33. Một BJT chế tạo từ silic được phân cực bằng mạch điện có thông số như trong hình. Giá trị của dòng emitter là xấp xỉ: a. 0.28 mA b. 2.8 mA c. 0.28 A d. 2.8 A 34. Một BJT chế tạo từ silic được phân cực bằng mạch điện có thông số như trong hình. Điện áp trên cực C của BJT so với đất là xấp xỉ… A. 13.5V B. 13.0V C. 2.3V D. 10.7V HÚT END FIU TRỜ 10
Trang 11
35. Cho mạch điện như hình vẽ. Biết 𝑽𝑪𝑪 = 𝟏𝟎𝑽; 𝑰𝑪 = 𝟓𝒎𝑨; 𝑽𝑪𝑬 = 𝟓𝑽; 𝜷 = 𝟏𝟎𝟎. Giá trị của hai điện trở 𝑹𝑩 và 𝑹𝑪 lần lượt là: A. 188 𝑘Ω và 1 𝑘Ω B. 18.8 𝑘Ω và 1 𝑘Ω C. 18.8 𝑘Ω và 10 𝑘Ω D. 188 𝑘Ω và 10 𝑘Ω 36. Khi đo điện áp giữa các chân của BJT trong một mạch phân cực, người ta thu được các giá trị là UBE = 0V và UCB = UCE = Ec, với Ec là điện áp nguồn cung cấp cho BJT Kết luận nào sau đây là có lý nhất? A. BJT đang được phân cực ở chế độ khuếch đại B. BJT đang được phân cực ở chế độ bão hòa C. BJT đang được phân cực ở chế độ cắt dòng D. BJT bị hỏng 38. Khi BJT làm việc trong vùng khuếch đại tuyến tính, phương trình nào trong số sau đây là đúng? A. IC=β×IB B. IC=β×IE C. IB=β×IC D. IB=β×IE 39. Vẽ mạch lý thuyết, một BJT tương đương với 2 diode chỉnh lưu mạch nối tiếp nhau. Cho nên có thể dùng BJT thực hiện chức năng của diode chỉnh lưu. Phải biện này đúng hay sai? A. Đúng B. Sai 40. Một BJT ở trạng thái bão hòa thì điện áp giữa cực C và cực E của nó là: A. Xấp xỉ 0.3 V B. 0.7 V C. Rất lớn D. Bằng nguồn một chiều cung cấp HÚT END FIU TRỜ 11
Hiển thị 11 trang đầu. Tải tài liệu để xem đầy đủ.
Bình luận (0)
Chưa có bình luận nào. Hãy là người đầu tiên!