Seite 2
Nội dung 1. Cấu tạo, nguyên lý làm việc 2. Các cách mắc BJT 3. Các phương pháp phân cực một chiều 4. Đặc tuyến (phương trình) tải, điểm làm việc, ổn định nhiệt 5. Mạch EC, CC 6. Các ví dụ, bài tập 2
Vorschau wird generiert...
Tài liệu trình bày về transistor BJT, bao gồm cấu tạo, nguyên lý làm việc, các cách mắc, phương pháp phân cực, đặc tuyến, mạch khuếch đại và ứng dụng. Tài liệu cũng cung cấp các ví dụ và bài tập minh họa.
Nội dung 1. Cấu tạo, nguyên lý làm việc 2. Các cách mắc BJT 3. Các phương pháp phân cực một chiều 4. Đặc tuyến (phương trình) tải, điểm làm việc, ổn định nhiệt 5. Mạch EC, CC 6. Các ví dụ, bài tập 2
Die ersten 2 Seiten werden angezeigt. Laden Sie das Dokument herunter, um alles zu sehen.
Transistor BJT Bipolar Junction Transistor 1 Nội dung Cấu tạo, nguyên lý làm việc Các cách mắc BJT Các phương pháp phân cực một chiều Đặc tuyến (phương trình) tải, điểm làm việc, ổn định nhiệt 5. Mạch EC, CC 6. Các ví dụ, bài tập 1. 2. 3. 4. 2 Ứng dụng của BJT Nguyên lý làm việc của BJT Nguyên lý làm việc của BJT (2) Ví dụ : Ở nhiệt độ 25˚C : β =100 Ở nhiệt độ 100˚C : β =150 Các công thức dòng điện trong BJT Các công thức dòng điện trong BJT Ứng dụng của BJT 2 Các cách mắc BJT trong mạch Họ đặc tuyến của mạch BC Họ đặc tuyến vào của mạch EC Họ đặc tuyến của mạch CC Ví dụ : BJT 2N3904 Đối với mỗi phương pháp phân cực Xác định 1. Điểm làm việc tĩnh Q 2. Đặc tuyến (phương trình) tải Sự điểm làm việc Q theo nhiệt độ Sự thay đổi của β theo nhiệt độ Ví dụ : Mạch mắc EC có RB = 200kΩ, RC = 1kΩ, nguồn EC=12V, transistor loại NPN, (Si) với β=100 Kết quả đo được bằng NI Multisim 2 Ví dụ : Mạch mắc EC có RB = 200kΩ, RC = 1kΩ, nguồn EC=12V, transistor loại NPN, (Si) với β=100 Kết quả đo được bằng NI Multisim 2 Ví dụ : Mạch mắc EC, transistor Si có β=100, Rc=1kΩ, RB=200kΩ, RE=2kΩ, nguồn EC=12V. Kết quả đo được bằng NI Multisim 5 Ví dụ : Mạch mắc EC, transistor Si có β=100, Rc=1kΩ, RB=200kΩ, RE=2kΩ, nguồn EC=12V. Kết quả đo được bằng NI Multisim 5 Ví dụ : mô phỏng bằng Multisim 1. Xác định điểm làm việc Q 2. Vẽ đường tải Ví dụ : mô phỏng bằng Multisim Phân cực bằng hồi tiếp Collector Chế độ chuyển mạch của BJT Mạch khuếch đại mắc EC 𝑅𝑣 𝑅𝑐 // 𝑅𝑡 𝐾𝑢= - β 𝑟𝑣 𝑅𝑛𝑔+𝑅𝑣 𝑅𝑣 𝑅𝑐 // 𝑅𝑡 𝐾𝑖= - β 𝑟𝑣 𝑅𝑡 𝑅𝑣=R1// R2// rv 𝑟𝑣 = rb + (β+1)rE Rr=Rc// rc Rr=Rc// Rt Mạch khuếch đại mắc CC 𝑅𝑣 𝑅𝐸 // 𝑅𝑡 𝐾𝑢= (β+1) 𝑟𝑣 𝑅𝑛𝑔+𝑅𝑣 𝑅𝑣 𝑅𝐸 // 𝑅𝑡 𝐾𝑖= (β+1) 𝑟𝑣 𝑅𝑡 𝑅𝑣=R1// R2// rv 𝑟𝑣 ≈ rb + β(RE//Rt) Rr =RE// re Rr =RE// Rt Mạch khuếch đại mắc BC 𝑅𝑐 // 𝑅𝑡 𝐾𝑢= α 𝑅𝑛𝑔+𝑅𝑣 𝑅𝑐 // 𝑅𝑡 𝐾𝑖=α 𝑅𝑡 𝑅𝑣= RE //re≈re 𝑅𝑟= RC //Rt Ứng dụng của BJT 1. Khuếch đại 2. Tạo dao động 3. Tạo xung Các ví dụ, bài tập Xem
Ja. „Ky thuat dien tu hoang quang huy et lession 4 2 2 transistor 2 (2) - hoang quang huy“ ist kostenlos — melden Sie sich einfach an und klicken Sie auf Herunterladen, um die Originaldatei zu erhalten.
Das Dokument hat 55 Seiten, für den Kurs Kỹ thuật điện tử. Sie können es vor dem Herunterladen online in der Vorschau ansehen.
Ja. Sie können sich dieses Dokument direkt auf dieser Seite im Online-Reader ansehen und dann entscheiden, ob Sie es herunterladen möchten.
Vorschau wird generiert...
Transistor BJT Bipolar Junction Transistor 1 Nội dung Cấu tạo, nguyên lý làm việc Các cách mắc BJT Các phương pháp phân cực một chiều Đặc tuyến (phương trình) tải, điểm làm việc, ổn định nhiệt 5. Mạch EC, CC 6. Các ví dụ, bài tập 1. 2. 3. 4. 2 Ứng dụng của BJT Nguyên lý làm việc của BJT Nguyên lý làm việc của BJT (2) Ví dụ : Ở nhiệt độ 25˚C : β =100 Ở nhiệt độ 100˚C : β =150 Các công thức dòng điện trong BJT Các công thức dòng điện trong BJT Ứng dụng của BJT 2 Các cách mắc BJT trong mạch Họ đặc tuyến của mạch BC Họ đặc tuyến vào của mạch EC Họ đặc tuyến của mạch CC Ví dụ : BJT 2N3904 Đối với mỗi phương pháp phân cực Xác định 1. Điểm làm việc tĩnh Q 2. Đặc tuyến (phương trình) tải Sự điểm làm việc Q theo nhiệt độ Sự thay đổi của β theo nhiệt độ Ví dụ : Mạch mắc EC có RB = 200kΩ, RC = 1kΩ, nguồn EC=12V, transistor loại NPN, (Si) với β=100 Kết quả đo được bằng NI Multisim 2 Ví dụ : Mạch mắc EC có RB = 200kΩ, RC = 1kΩ, nguồn EC=12V, transistor loại NPN, (Si) với β=100 Kết quả đo được bằng NI Multisim 2 Ví dụ : Mạch mắc EC, transistor Si có β=100, Rc=1kΩ, RB=200kΩ, RE=2kΩ, nguồn EC=12V. Kết quả đo được bằng NI Multisim 5 Ví dụ : Mạch mắc EC, transistor Si có β=100, Rc=1kΩ, RB=200kΩ, RE=2kΩ, nguồn EC=12V. Kết quả đo được bằng NI Multisim 5 Ví dụ : mô phỏng bằng Multisim 1. Xác định điểm làm việc Q 2. Vẽ đường tải Ví dụ : mô phỏng bằng Multisim Phân cực bằng hồi tiếp Collector Chế độ chuyển mạch của BJT Mạch khuếch đại mắc EC 𝑅𝑣 𝑅𝑐 // 𝑅𝑡 𝐾𝑢= - β 𝑟𝑣 𝑅𝑛𝑔+𝑅𝑣 𝑅𝑣 𝑅𝑐 // 𝑅𝑡 𝐾𝑖= - β 𝑟𝑣 𝑅𝑡 𝑅𝑣=R1// R2// rv 𝑟𝑣 = rb + (β+1)rE Rr=Rc// rc Rr=Rc// Rt Mạch khuếch đại mắc CC 𝑅𝑣 𝑅𝐸 // 𝑅𝑡 𝐾𝑢= (β+1) 𝑟𝑣 𝑅𝑛𝑔+𝑅𝑣 𝑅𝑣 𝑅𝐸 // 𝑅𝑡 𝐾𝑖= (β+1) 𝑟𝑣 𝑅𝑡 𝑅𝑣=R1// R2// rv 𝑟𝑣 ≈ rb + β(RE//Rt) Rr =RE// re Rr =RE// Rt Mạch khuếch đại mắc BC 𝑅𝑐 // 𝑅𝑡 𝐾𝑢= α 𝑅𝑛𝑔+𝑅𝑣 𝑅𝑐 // 𝑅𝑡 𝐾𝑖=α 𝑅𝑡 𝑅𝑣= RE //re≈re 𝑅𝑟= RC //Rt Ứng dụng của BJT 1. Khuếch đại 2. Tạo dao động 3. Tạo xung Các ví dụ, bài tập Xem
Nội dung 1. Cấu tạo, nguyên lý làm việc 2. Các cách mắc BJT 3. Các phương pháp phân cực một chiều 4. Đặc tuyến (phương trình) tải, điểm làm việc, ổn định nhiệt 5. Mạch EC, CC 6. Các ví dụ, bài tập 2
Die ersten 2 Seiten werden angezeigt. Laden Sie das Dokument herunter, um alles zu sehen.
Noch keine Kommentare. Seien Sie der Erste!
Bài tập phần Khuếch đại thuật toán (OA) (Có đáp án)
Các loại mạch tạo xung vuông - Kỹ thuật xung
Mạch khuếch đại thuật toán (Chương 4) - Bùi Minh Thành
Kỹ thuật điện tử - Nguyễn Đức Lợi
Ky thuat dien tu hoang quang huy et lession phan 4 kt so dai so (Phần 4)
Giáo trình Pháp luật đại cương 2021 - ĐH Thương Mại
Đề thi môn Đại số tuyến tính (NN2) (Kèm đáp án)
Luyện dạng thường gặp - Toán (HSA) - Dạng 1
Đề khảo sát tháng 8 - Đề VACT Toán (Có đáp án chi tiết)
TSAP Thi thử đợt trải nghiệm - Toán

Kommentare (0)
Noch keine Kommentare. Seien Sie der Erste!